[发明专利]间隔件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611255915.2 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106997848A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 范富杰;郑光茗;刘思贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一些实施例揭露一种间隔件结构及其制造方法。第一及第二导电结构形成于衬底上方。形成第一图案化介电层，以覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构。形成第二介电层，以覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁。去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层。放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层形成第一间隔件结构，以及放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层形成第二间隔件结构。所述第一间隔件结构的宽度大于所述第二间隔件结构的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造间隔件结构的方法，其包含：接收衬底；形成第一导电结构以及第二导电结构于所述衬底上方；形成第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构；形成第二介电层覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁；及去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层，其中放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层形成第一间隔件结构，放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层形成第二间隔件结构，以及所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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