[发明专利]一种芯片及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种芯片及其制造方法，该制造方法包括提供一超薄芯片，超薄芯片的功能面上具有多个电极，在超薄芯片的功能面上形成钝化层，钝化层具有与多个电极分别对应设置的多个第一开口；在钝化层上形成掩膜层，掩膜层具有与多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，第二开口大于第一开口；在第二开口中形成导电凸点；去除掩膜层。本发明实施例中，通过设置钝化层和掩膜层，将导电凸点形成在第一开口和第二开口中，实现了精确控制导电凸点的形状；形成导电凸点时，任意相邻两个电极上的导电凸点之间采用掩膜层进行间隔，则形成的导电凸点不易挤压而变形避免了相邻导电凸点之间的短路现象，便于一次性、高精度的成型导电凸点。

主权项

一种芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供一超薄芯片，所述超薄芯片的功能面上具有多个电极，在所述超薄芯片的功能面上形成钝化层，所述钝化层具有与所述多个电极分别对应设置的多个第一开口；在所述钝化层上形成掩膜层，所述掩膜层具有与所述多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；在所述第二开口中形成导电凸点；去除所述掩膜层。