[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池

摘要

本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述方法包括以下步骤在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。本发明通过对导电层浆料进行低温固化制备局部掺杂晶体硅太阳能电池，可有效避免高温下经过掺杂的硅和背面金属电极浆料的剧烈反应，进而使大部分第三主族元素或第五主族元素留在硅中，显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。

主权项

一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；或，在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。