[发明专利]数据储存装置及其驱动方法

摘要

本发明涉及数据储存装置及其驱动方法。本发明的一实施例能够提供数据储存装置，包括：半导体结构体，包括第一导电类型区域、第二导电类型区域以及半导体区域，第一导电类型区域具有第一类型导电性，第二导电类型区域与第一导电类型区域间隔开、并具有与第一导电类型区域的第一类型导电性相反的第二类型导电性，半导体区域位于第一导电类型区域与第二导电类型区域之间、并包括与第二导电类型区域相邻的邻近部；模式选择晶体管，包括栅电极和绝缘层，栅电极与半导体区域的邻近部对齐，绝缘层设置在栅电极与半导体区域的邻近部之间；多个存储单元晶体管，包括多个控制栅电极和数据储存层，所述多个控制栅电极与半导体区域对齐，所述数据储存层介于所述多个控制栅电极与半导体区域之间；第一配线，与第一导电类型区域电连接；以及第二配线，包括双极性接触，所述双极性接触具有第二配线与第二导电类型区域之间的第一接触和第二配线与邻近部之间的第二接触。

主权项

一种数据储存装置，包括：半导体结构体，包括第一导电类型区域、第二导电类型区域以及半导体区域，所述第一导电类型区域具有第一类型导电性，所述第二导电类型区域与所述第一导电类型区域间隔开、并具有与所述第一导电类型区域的第一类型导电性相反的第二类型导电性，所述半导体区域位于所述第一导电类型区域与所述第二导电类型区域之间，以及所述半导体区域包括与所述第二导电类型区域相邻近的邻近部；模式选择晶体管，包括栅电极和绝缘层，所述栅电极与所述半导体区域的所述邻近部对齐，所述绝缘层设置在所述栅电极与所述半导体区域的所述邻近部之间；多个存储单元晶体管，所述存储单元晶体管包括多个控制栅电极和数据储存层，所述多个控制栅电极与所述半导体区域对齐，所述数据储存层介于所述多个控制栅电极与半导体区域之间；第一配线，与所述第一导电类型区域电连接；以及第二配线，包括双极性接触，所述双极性接触具有所述第二配线与所述第二导电类型区域之间的第一接触和所述第二配线与所述邻近部之间的第二接触。