[发明专利]一种正置顶发射QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201611256948.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269929B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;杨一行;刘政;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正置顶发射QLED器件及其制备方法，其中，所述正置顶发射QLED器件包括依次叠层设置的衬底、反射阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及透明阴极，所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成，所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构，可实现具有高效电荷注入、高发光亮度、低驱动电源以及高器件效率等优异性能的高效QLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 置顶 发射 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种正置顶发射QLED器件，包括依次叠层设置的衬底、反射阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及透明阴极，其特征在于，所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成，所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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