[发明专利]一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611257092.7 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106801252B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 刘兵;习小青;贾建广;陶能松;孔令珂;周华 申请(专利权)人: 江西中材太阳能新材料有限公司;中材江苏太阳能新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06;C04B28/24;C04B26/04
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 338000 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁,所述底座的内表面和/或侧壁的内表面上设置有高纯石英涂层,高纯石英涂层的材料包括质量比为1:(0.1‑2):(0‑0.5):(0‑0.5)的熔融石英、低温石英、氮化硅、硅,质量含量为0‑1000ppm的氢氧化钡、氧化锆,质量占比≤25%的粘结剂。该坩埚通过在坩埚本体内表面涂覆制备高纯石英涂层,高纯石英涂层在铸锭过程中最终转化成高致密性涂层,从而可有效阻隔坩埚中的杂质向硅锭中扩散,降低硅锭边部和底部红区,提高整体硅锭质量,同时降低坩埚制备成本。本发明还提供了一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚的制备方法。
搜索关键词: 一种 多晶 铸锭 石英 陶瓷 坩埚 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁,其特征在于,所述底座的内表面和/或所述侧壁的内表面上设置有高纯石英涂层,所述高纯石英涂层的材料包括质量比为1:(0.1‑2):(0‑0.5):(0‑0.5)的熔融石英、低温石英、氮化硅、硅,质量含量为0‑1000ppm的氢氧化钡、质量含量为0‑1000ppm的氧化锆,以及包括质量占比≤25%的粘结剂,上述各组分均匀分布在所述高纯石英涂层中,所述熔融石英的纯度大于99.95%,所述低温石英的纯度大于99.99%。
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