[发明专利]半导体器件

摘要

公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。

主权项

一种MOSFET，包括：漏极电极；漏极区域，其由第一导电型半导体制成；漂移区，其由浓度比所述漏极区域低的第一导电型半导体制成；体区域，其由第二导电型半导体制成；源极区域，其由所述第一导电型半导体制成；源极电极，其由金属制成；栅电极，其经由绝缘膜与在所述源极区域和所述漂移区之间的所述体区域相对；势垒区域，其形成于所述漂移区和所述体区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成；以及柱区域，其形成为将所述势垒区域连接至所述源极电极且由浓度比所述势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成，其中所述柱区域形成为从所述源极电极侧透过所述体区域且到达所述势垒区域，并且其中，所述柱区域和所述源极电极通过肖特基结相连接。