[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池

摘要

本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述方法包括以下步骤：在晶体硅片背面沉积钝化层、在钝化层上局部开口、在局部开口处沉积掺杂浆料和在背面掺杂；以及任选地，背面沉积第一金属浆料；其中，局部开口的尺寸小于沉积掺杂浆料的尺寸。本发明通过调整背面局部开口尺寸与沉积掺杂浆料的尺寸，可显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。

主权项

1.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n(1)在晶体硅片背面沉积钝化层；/n(2)在钝化层上局部开口；/n(3)在局部开口处沉积掺杂浆料；/n(4)在背面掺杂；/n(5)背面沉积第一金属浆料；/n其中，步骤(2)中局部开口尺寸小于步骤(3)中沉积掺杂浆料的尺寸；/n步骤(3)所述沉积掺杂浆料中的掺杂浆料为铝元素以及硼浆料；/n步骤(5)所述沉积第一金属浆料中的第一金属浆料为铝浆料；/n采用此方法制备得到的局部掺杂晶体硅太阳能电池中，所述晶体硅片层(1)中沿开口向晶体硅片层里依次掺杂形成硅铝合金层(4)、铝背场(5)和第二掺杂背场(6)，所述硅铝合金层(4)最高点的高度为3μm～15μm；/n步骤(2)中局部开口尺寸为140μm～200μm；步骤(3)沉积掺杂浆料的尺寸为170μm～300μm。/n