[发明专利]氮化镓基功率二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201611258251.5 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601825B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 11667 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵永刚<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基功率二极管及其制作方法，在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；在第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；对P型氮化镓外延层和第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成贯穿于P型氮化镓外延层或贯穿于P型氮化镓外延层并伸入第一轻掺杂N型氮化镓外延层的刻蚀图形；在含有刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层；制作阳极和阴极，以形成氮化镓基功率二极管。本发明采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率二极管中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基功率二极管的制作方法，其特征在于，包括：/n在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；/n在所述第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；/n对所述P型氮化镓外延层和所述第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型氮化镓外延层的刻蚀图形；/n在含有所述刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层；/n制作阳极和阴极，以形成所述氮化镓基功率二极管。/n
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