[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池

摘要

本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述制备方法为将晶体硅片依次进行预处理、背面沉积钝化层、正面沉积减反射层、背面局部开口和背面沉积银浆料处理；在晶体硅片的背面局部开口处沉积掺杂介质，所述掺杂介质中包括铝元素以及在硅中固溶度大于铝元素的至少一种第三主族元素；将沉积掺杂介质后的晶体硅片依次经背面沉积第一电极浆料、正面沉积第二电极浆料和烧结处理，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池。本发明通过将至少两种第三主族元素以浆料的形式与硅进行掺杂，可显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。

主权项

一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：(1)将晶体硅片依次进行预处理、背面沉积钝化层和背面局部开口；(2)在经步骤(1)处理后的晶体硅片的背面局部开口处沉积掺杂介质，所述掺杂介质中包括铝元素以及在硅中固溶度大于铝的至少一种第三主族元素；(3)将步骤(2)中沉积掺杂介质后的晶体硅片依次经背面沉积第一电极浆料、正面沉积第二电极浆料和烧结处理，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池。