[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201611260201.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783726A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林岳明 | 申请（专利权）人： | 苏州爱彼光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215215 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合衬底的制作方法，包括以下步骤在硅晶片生长氮化镓层；将所述氮化镓层与蓝宝石片键合，形成键合体；将所述硅晶片从所述氮化镓层上剥离。上述复合衬底由在硅晶片上生长氮化镓层。并使氮化镓层与蓝宝石片相键合，最后使硅晶片从氮化镓层上剥离，这样相比较于传统的直接在蓝宝石片上生长氮化镓层时间短，提高了复合衬底的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种复合衬底的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅晶片生长氮化镓层；将所述氮化镓层与蓝宝石片键合，形成键合体；将所述硅晶片从所述氮化镓层上剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
