[发明专利]用于高压器件的静电保护单元及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种用于高压器件的静电保护单元及其制作方法、电子装置。该静电保护单元包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有第一埋层；在所述第一埋层上形成有第一外延层；在所述第一外延层中形成有多个第一阱区；在每个所述第一阱区中形成有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区形成二极管元件，所述P+掺杂区用作所述二极管元件的阳极，所述N+掺杂区用作所述二极管元件的阴极；多个所述二极管元件相互串联并且相邻的所述二极管元件反向相接，相互串联的所述二极管元件中的第一个所述二极管元件的阳极与电源电压连接，最后一个所述二极管元件的阴极与地电压连接。该静电保护单元具有更好的ESD性能。该电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种用于高压器件的静电保护单元，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；在所述半导体衬底上形成有第一埋层，所述第一埋层具有第二导电类型；在所述第一埋层上形成有第一外延层，所述第一外延层具有第二导电类型；在所述第一外延层中形成有多个第一阱区，所述第一阱区具有第一导电类型；在每个所述第一阱区中形成有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区形成二极管元件，所述P+掺杂区用作所述二极管元件的阳极，所述N+掺杂区用作所述二极管元件的阴极；多个所述二极管元件相互串联并且相邻的所述二极管元件反向相接，相互串联的所述二极管元件中的第一个所述二极管元件的阳极与电源电压连接，最后一个所述二极管元件的阴极与地电压连接。