[发明专利]一种有机场效应器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611260478.3 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN108269917A 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 孙蓉;罗遂斌;王健;宋子杰;于淑会 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋;侯桂丽
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种有机场效应器件及其制备方法。本发明的有机场效应器件包括栅极、介电层、半导体层、源极和漏极,其中,所述介电层为包含高介电纳米颗粒的聚合物复合材料,所述半导体层为包含导电纳米颗粒和/或半导体纳米颗粒的聚合物复合材料,所述栅极为金属箔或者由柔性聚合物基底及沉积在柔性聚合物基底上的导电层构成的导电衬底。本发明的有机场效应器件不仅制造成本低,柔性好,而且可以通过对纳米颗粒的选择以及纳米颗粒与聚合物的配合关系实现对有机场效应器件的性能调控,本发明的有机场效应器件可以埋入到基板中用于电路保护,也可应用于柔性芯片的开发。
搜索关键词: 效应器 有机场 纳米颗粒 聚合物复合材料 柔性聚合物 半导体层 介电层 基底 制备 半导体纳米颗粒 导电纳米颗粒 电路保护 配合关系 柔性芯片 性能调控 制造成本 导电层 高介电 金属箔 聚合物 衬底 导电 基板 漏极 埋入 源极 沉积 应用 开发
【主权项】:
1.一种有机场效应器件,包括栅极、介电层、半导体层、源极和漏极,其特征在于,所述介电层为包含高介电纳米颗粒的聚合物复合材料。
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