[发明专利]基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法在审
| 申请号： | 201611261713.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269738A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;B23K26/362 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法，所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备包括：静电吸盘，适于吸附待减薄晶圆；激光发射装置，位于静电吸盘一侧，且与所述静电吸盘具有间距；所述激光发射装置适于发射水平激光束；透镜，位于所述静电吸盘与所述激光发射装置之间，且与所述静电吸盘及所述激光发射装置均具有间距；所述透镜适于将所述激光发射装置发射的水平激光束水平汇聚于所述待减薄晶圆的边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。本发明的基于水平激光照射的晶圆减薄设备通过使用激光束对待减薄晶圆进行减薄，操作简单、减薄速度较快、耗时较短、效率更高，通过设置厚度侦测装置及控制装置可以更精确地控制减薄厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 减薄 晶圆 激光发射装置 静电吸盘 减薄设备 水平激光 照射 透镜 水平激光束 控制装置 侦测装置 激光束 发射 吸附 耗时 汇聚 | ||
【主权项】：
1.一种基于水平激光照射的晶圆减薄设备，其特征在于，包括：静电吸盘，适于吸附待减薄晶圆；激光发射装置，位于静电吸盘一侧，且与所述静电吸盘具有间距；所述激光发射装置适于发射水平激光束；透镜，位于所述静电吸盘与所述激光发射装置之间，且与所述静电吸盘及所述激光发射装置均具有间距；所述透镜适于将所述激光发射装置发射的水平激光束水平汇聚于所述待减薄晶圆的边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
