[发明专利]一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器有效
申请号: | 201611261990.X | 申请日: | 2016-12-31 |
公开(公告)号: | CN106653997B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 余伟超;兰金;肖江 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L43/10 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于磁性器件技术领域,具体为一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器。该自旋波起偏器基于具有DMI效应的反铁磁材料或人工反铁磁结构,其结构为一反铁磁纳米线,该纳米线中存在两块磁化方向相反的磁畴与介于两者之间的磁畴壁。当体系具有DMI效应时,平行于磁畴壁的线偏模式能够无反射通过,垂直于磁畴壁的线偏模式会被反射,由此对不同偏振模式自旋波的选择性过滤,达到了起偏器的效果。通过调控纳米线的排布方向以及磁畴壁在纳米线中的位置,本发明可以实现任意方向的线偏过滤。本发明结构简单,易于制备,功耗小,易与现有电子芯片技术结合,可用于有效操控自旋波的偏振特性并实现进一步的逻辑运算。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 选择性 滤波 特性 自旋 波起偏器 | ||
【主权项】:
1.一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器,其特征在于,是在具有DMI效应的反铁磁材料或人工反铁磁结构上构造的磁结构,利用磁畴壁对不同偏振自旋波的通过率不同实现调制自旋波偏振状态的功能;所述磁结构为一垂直磁化的反铁磁纳米线,该纳米线中存在两块相反磁取向的磁畴以及在磁畴之间自然形成的磁畴壁;自旋波从纳米线的一端输入,通过磁畴壁后从纳米线的另一端输出;其中偏振方向平行于x方向的自旋波定义为“x偏振自旋波”,偏振方向平行于y方向的自旋波定义为“y偏振自旋波”。
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