[发明专利]具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201611262015.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601886B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;刘政;向超宇;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/18;H01L33/06;H01L33/00;H01L21/02;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件，其中，所述纳米晶体包含S个位于纳米晶体中心的中心结构单元和N个位于纳米晶体中心外并依次排布的环绕结构单元，其中，S≥1，N≥1，所述中心结构单元和环绕结构单元均为量子点结构单元，所述中心结构单元和所述环绕结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。本发明提供的新型纳米晶体，其不仅实现了更高效的纳米晶体发光效率，同时也更能满足半导体器件及相应显示技术对纳米晶体的综合性能要求，是一种适合半导体器件及显示技术的理想纳米晶体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 量子 能级 结构 纳米 晶体 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有能级结构的纳米晶体，其特征在于，包含S个位于纳米晶体中心的中心结构单元和N个位于纳米晶体中心外并依次排布的环绕结构单元，其中，S≥1，N≥1，所述中心结构单元和环绕结构单元均为量子点结构单元，所述中心结构单元和环绕结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
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