[发明专利]一种全屏蔽片上共面波导传输结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201611262172.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783812A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王全;刘林林 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全屏蔽片上共面波导传输结构及其制造方法，根据本发明的共面波导传输结构包括半导体衬底，底层金属屏蔽层，中间填充层，信号线，以及与信号线同属顶层金属层的地线，还包括一个RDL金属屏蔽层，其位于所述顶层金属层上方，且通过通孔连接至所述顶层金属层。其中，所述底层金属屏蔽层位于所述半导体衬底和所述中间填充层之间，所述中间填充层位于所述底层金属屏蔽层和所述顶层金属层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 片上共面 波导 传输 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全屏蔽片上共面波导传输结构，包括半导体衬底，底层金属屏蔽层，中间填充层，信号线，以及位于顶层金属层的地线，其中，所述底层金属屏蔽层位于所述半导体衬底和所述中间填充层之间，所述中间填充层位于所述底层金属屏蔽层和所述顶层金属层之间，其特征在于，还包括一个RDL金属屏蔽层，其位于所述顶层金属层上方，且通过通孔结构连接至所述顶层金属层。
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