[发明专利]一种太阳能电池制备方法在审
申请号: | 201611262870.1 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106856214A | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 孙海杰;金井升;张昕宇;金浩;郑霈霆;许佳平 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/318 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种太阳能电池制备方法,包括步骤S1将硅片依次进行清洗制绒、PN结扩散以及刻蚀去除磷硅玻璃;步骤S2在PN结扩散层表面沉积SiNx薄膜,得到镀有一层SiNx薄膜的硅片,反应腔中温度升高至预设温度,同时静置预设时间,再次沉积SiNx薄膜,得到镀有两层SiNx薄膜的硅片;步骤S3对镀有两层SiNx薄膜的硅片的正反面进行丝网印刷,形成正电极、背电极以及背电场,并将其烧结,得到太阳能电池。本发明主要针对氢钝化的效果进行进一步地优化,在电池片镀膜过程中反应腔中温度升高至预设温度,同时静置预设时间,有效地推进氢原子与其他悬挂键或电池体内的其他缺陷、杂质的结合,使SiNx薄膜中氢含量增加,提升电池转换率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:步骤S1:将硅片依次进行清洗制绒、PN结扩散以及刻蚀去除磷硅玻璃;步骤S2:在PN结扩散层表面沉积SiNx薄膜,得到镀有一层SiNx薄膜的硅片,反应腔中温度升高至预设温度,同时静置预设时间,再次沉积所述SiNx薄膜,得到镀有两层SiNx薄膜的硅片;步骤S3:对所述镀有两层SiNx薄膜的硅片的正反面进行丝网印刷,形成正电极、背电极以及背电场,并将其烧结,得到太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的