[发明专利]一种太阳能电池制备方法在审

专利信息
申请号: 201611262870.1 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106856214A 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 孙海杰;金井升;张昕宇;金浩;郑霈霆;许佳平 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/318
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种太阳能电池制备方法,包括步骤S1将硅片依次进行清洗制绒、PN结扩散以及刻蚀去除磷硅玻璃;步骤S2在PN结扩散层表面沉积SiNx薄膜,得到镀有一层SiNx薄膜的硅片,反应腔中温度升高至预设温度,同时静置预设时间,再次沉积SiNx薄膜,得到镀有两层SiNx薄膜的硅片;步骤S3对镀有两层SiNx薄膜的硅片的正反面进行丝网印刷,形成正电极、背电极以及背电场,并将其烧结,得到太阳能电池。本发明主要针对氢钝化的效果进行进一步地优化,在电池片镀膜过程中反应腔中温度升高至预设温度,同时静置预设时间,有效地推进氢原子与其他悬挂键或电池体内的其他缺陷、杂质的结合,使SiNx薄膜中氢含量增加,提升电池转换率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:步骤S1:将硅片依次进行清洗制绒、PN结扩散以及刻蚀去除磷硅玻璃;步骤S2:在PN结扩散层表面沉积SiNx薄膜,得到镀有一层SiNx薄膜的硅片,反应腔中温度升高至预设温度,同时静置预设时间,再次沉积所述SiNx薄膜,得到镀有两层SiNx薄膜的硅片;步骤S3:对所述镀有两层SiNx薄膜的硅片的正反面进行丝网印刷,形成正电极、背电极以及背电场,并将其烧结,得到太阳能电池。
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