[发明专利]一种In‑Cell触控阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种In‑Cell触控阵列基板及其制作方法，该In‑Cell触控阵列基板从下往上依次包括衬底基板、TFT结构层、平坦层、公共电极层、第二层间绝缘层、触控电极层、像素电极绝缘层及像素电极层；其中，TFT漏极上方设有像素电极层过孔，像素电极层覆盖该像素电极层过孔，像素电极绝缘层上设有像素电极层凹槽，像素电极层设于像素电极层凹槽与像素电极层过孔上，且在像素电极层过孔以外的像素电极层的表面，与位于像素电极层凹槽之外的像素电极绝缘层的表面处于同一层面。本发明解决了现有技术中，由于公共电极与像素电极层之间的距离增大，导致公共电极与像素电极层之间形成的储存电容值减小，以致出现信号串扰及漏电等问题。

主权项

一种In‑Cell触控阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT结构层、设于所述TFT结构层上的平坦层、设于一部分所述平坦层上的公共电极层、设于所述公共电极层与所述平坦层上的第二层间绝缘层、设于所述第二层间绝缘层上的触控电极层、设于所述触控电极层与所述第二层间绝缘层上的像素电极绝缘层，以及设于一部分所述像素电极绝缘层上的像素电极层；其中，所述TFT结构层的TFT漏极上方对应的所述平坦层、所述第二层间绝缘层与所述像素电极绝缘层上设有像素电极层过孔，所述像素电极层覆盖所述像素电极层过孔并通过其与所述TFT漏极接触，所述像素电极绝缘层的预设位置区域上设有像素电极层凹槽，所述像素电极层设于所述像素电极层凹槽与所述像素电极层过孔上，且在所述像素电极层过孔以外的所述像素电极层的表面，与位于所述像素电极层凹槽之外的所述像素电极绝缘层的表面处于同一层面。