[发明专利]多晶硅栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201611264066.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269739B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张松 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅栅极的形成方法，包括：提供在衬底上形成了栅氧化层、在栅氧化层上形成了多晶硅层的晶圆；对所述多晶硅层进行蚀刻，形成多晶硅栅极；在所述晶圆表面形成覆盖所述衬底和多晶硅栅极的保护层；蚀刻所述保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述衬底表面的保护层去除，所述多晶硅栅极侧面余留的保护层形成侧墙；对所述晶圆进行湿氧氧化，在所述衬底表面形成氧化层。本发明能够将多晶硅残留氧化成不导电的硅氧化物，从而消除多晶硅残留导致的导电性异常缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅栅极的形成方法，包括：提供在衬底上形成了栅氧化层、在栅氧化层上形成了多晶硅层的晶圆；对所述多晶硅层进行蚀刻，形成多晶硅栅极；在所述晶圆表面形成覆盖所述衬底和多晶硅栅极的保护层；蚀刻所述保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述衬底表面的保护层去除，所述多晶硅栅极侧面余留的保护层形成侧墙；对所述晶圆进行湿氧氧化，在所述衬底表面形成氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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