[发明专利]适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路在审
| 申请号： | 201611264169.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106782657A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 夏菁;任军;盛荣华 | 申请（专利权）人： | 合肥恒烁半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，其特征在于，所述适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路包括逻辑开关控制器、内部逻辑处理电路、耦合电容及放电通路，逻辑开关控制器用来选择芯片是否采用此瞬时增强电路，内部逻辑处理电路用来智能判断此增强电路开启的时机以及控制放电通路，耦合电容用以产生瞬时增强电压，放电通路在此增强电路空闲时泻掉耦合电容上的多余电荷，防止电路漏电。本发明在传统电荷泵电路的基础上增加了一个小面积电路，在读换行的瞬间给电荷泵输出提供一个充电脉冲，不仅降低了电荷泵的平均功耗，又可以用相对较小的面积满足高频读写对高压电荷泵的启动时间要求。 | ||
| 搜索关键词： | 适用 nor 闪存 芯片 高压 瞬时 增强 电路 | ||
【主权项】：
一种适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，其特征在于，所述适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路包括逻辑开关控制器、内部逻辑处理电路、耦合电容及放电通路，逻辑开关控制器用来选择芯片是否采用此瞬时增强电路，内部逻辑处理电路用来智能判断此增强电路开启的时机以及控制放电通路，耦合电容用以产生瞬时增强电压，放电通路在此增强电路空闲时泻掉耦合电容上的多余电荷，防止电路漏电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥恒烁半导体有限公司，未经合肥恒烁半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611264169.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提升闪存存储器数据保持力的方法
- 下一篇：一种软管半自动装配机
