[发明专利]MOS电容及其形成方法有效
| 申请号： | 201611264809.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269861B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS电容及其形成方法，其中，MOS电容包括：衬底，所述衬底包括相互邻接的器件区和保护区；位于所述器件区衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构两侧器件区衬底中的源漏掺杂区；位于所述保护区衬底上的伪栅极结构；连接所述源漏掺杂区与所述伪栅极结构的导电结构。所述MOS电容包括连接所述伪栅极结构与所述源漏掺杂区的导电结构，则所述伪栅极结构上的电位为稳定电位了，当外界环境变化时，伪栅极结构上的电位不容易发生变化，伪栅极结构与衬底之间的电压不容易发生变化，从而不容易影响栅极结构与衬底之间的电容，进而能够保证MOS电容的电容值的精度，改善MOS电容性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS电容，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相互邻接的器件区和保护区；位于所述器件区衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构两侧器件区衬底中的源漏掺杂区；位于所述保护区衬底上的伪栅极结构；连接所述源漏掺杂区与所述伪栅极结构的导电结构。
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