[发明专利]晶体结构可调控的三元正极材料的制备方法有效
| 申请号： | 201611265114.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269995B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 邹朋辉;杨万光 | 申请（专利权）人： | 广东天劲新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 | 代理人： | 黄立强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种晶体结构可调控的三元前驱体、正极材料及其制备方法，具体是：将镍钴锰可溶盐、NaOH、浓氨水和导向生长的表面活性剂分别配制成溶液后进行共沉淀反应，得到结构定向生长的三元前驱体；将该前驱体与锂源混合，经高温煅烧后得到类前驱体结构的定向生长的三元层状正极材料。本发明通过调控前驱体的生长，得到了晶体结构沿着[003]方向生长的正极材料，提高了内部结构生长的有序度和稳定性，减少了阳离子混排，降低了Li |
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| 搜索关键词： | 晶体结构 调控 三元 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体结构可调控的三元前驱体，该前驱体化学式为：NixCoyMnz(OH)2，其中，x、y和z满足：0 < x ≦ 0.8；0.1≦ y <1，0 < z ≦ 0.4，x+y+z = 1；该前驱体晶体生长方向为自圆心向外发射，即[001]方向垂直于球面。
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