[发明专利]一种MEMS红外光源及其制作方法有效
| 申请号： | 201611265720.6 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106629574B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 明安杰;刘卫兵;孙西龙;王玮冰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MEMS红外光源及其制作方法，MEMS红外光源包括衬底、支撑层、第一热敏电阻层、介质层、第二热敏电阻层、隔离保护层、加热电阻层和辐射层，本发明中利用第一热敏电阻层和第二热敏电阻层中的一层热敏电阻层作为温度传感器，直接在外界通过热敏电阻层的阻值变化测量MEMS红外光源的辐射区温度变化；利用另一层作为温度补偿性能，在一定温度范围内于外围的补偿回路中抵消温漂产生的误差，即本发明提供的MEMS红外光源能够在实时监测温度漂移的同时进行实时温度补偿，从而提高MEMS红外光源的测量线性度，避免器受外界环境影响。所述制作方法，便于与红外光源内部芯片工艺兼容，减小了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 红外 光源 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS红外光源，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的支撑层，所述支撑层包括中心区域和边缘区域；位于所述支撑层背离所述衬底表面的中心区域，沿背离所述衬底的方向依次层叠设置的第一热敏电阻层、介质层和第二热敏电阻层，所述介质层用于电隔离所述第一热敏电阻层和第二热敏电阻层；位于所述第二热敏电阻层背离所述支撑层表面的隔离保护层；位于所述隔离保护层背离所述第二热敏电阻层表面的加热电阻层；位于所述加热电阻层背离所述隔离保护层表面的辐射层；其中，所述第一热敏电阻层和所述第二热敏电阻层中的其中一层为温度传感器，另一层为温度补偿传感器。
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