[发明专利]一种电感耦合等离子处理装置有效
申请号: | 201611269744.9 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108271309B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 连增迪;刘季霖;吴狄;黄允文 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 潘朱慧 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种电感耦合等离子处理装置,所述的电感耦合等离子处理装置包括反应腔,反应腔顶部包括一绝缘材料窗,一连接到射频电源的电感线圈设置在所述绝缘材料窗上方,电感线圈产生的射频磁场穿过绝缘材料窗进入反应腔激发反应腔内的反应气体形成等离子体,一个磁场调整环围绕所述电感线圈,所述磁场调整环包括一磁场导引环,使得高功率的磁场能量经过所述磁场导引环;所述磁场调整环还包括一个磁场反射环位于所述磁场导引环和所述电感线圈之间,使得经过所述磁场导引环的磁场能量被反射回反应腔中;其中所述磁场导引环由高磁导率、高电阻率的材料制成,所述磁场反射环由低相对磁导率、低电阻率的材料制成。 | ||
搜索关键词: | 一种 电感 耦合 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电感耦合等离子处理装置,所述的电感耦合等离子处理装置包括:反应腔,反应腔内包括一个基座,所述基座用于固定待处理基片,反应腔顶部包括一绝缘材料窗,一连接到射频电源的电感线圈设置在所述绝缘材料窗上方,电感线圈产生的射频磁场穿过绝缘材料窗进入反应腔激发反应腔内的反应气体形成等离子体,利用所述等离子体对基片进行处理,还包括一个靠近绝缘材料窗的磁场调整环,所述磁场调整环包括一磁场导引环,使得高功率的磁场能量穿过所述磁场引导环;所述磁场调整环还包括一个位于所述磁场引导环和所述电感线圈之间的磁场反射环,使得经过所述磁场导引环的磁场能量被反射回反应腔中;其中所述磁场引导环由具有第一相对磁导率和第一电阻率的材料制成,所述磁场反射环由具有第二相对磁导率和第二电阻率的材料制成,所述第一相对磁导率大于第二相对磁导率,第一电阻率大于第二电阻率。
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