[发明专利]具有可焊接的正面的半导体芯片及制造半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201611271992.7 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026140B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | A·格拉赫;T·卡利希 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体芯片包括具有第一主延伸方向和第二主延伸方向的半导体元器件，第一主延伸方向和第二主延伸方向形成垂直于半导体芯片的堆叠方向布置的主延伸平面，在半导体元器件上直接布置可焊接的第一和第二金属区域及介电区域，第一金属区域和第二金属区域由介电区域电分离，第二金属区域沿第一主延伸方向与第一金属区域相距第一间距，其特征是，在第一金属区域上布置未焊接状态下具有至少相当于第一间距的三倍的第四层厚度的第一焊料，在第一焊料上布置第三金属区域，第三金属区域沿第一主延伸方向与半导体元器件的边缘相距相当于未焊接状态下的第一焊料的第四层厚度的至少5倍的第三间距，第一、第二、第三金属区域和第一焊料材料锁合连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 焊接 正面 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体芯片(100)，包括具有第一主延伸方向(x)和第二主延伸方向(y)的半导体元器件(101)，其中，所述第一主延伸方向(x)和所述第二主延伸方向(y)形成主延伸平面，其中，所述主延伸平面垂直于所述半导体芯片(100)的堆叠方向(z)布置，其中，直接在所述半导体元器件(101)上布置：·可焊接的第一金属区域(102)，·可焊接的至少一个第二金属区域(103)，以及·介电区域(104)，其中，所述第一金属区域(102)和所述至少一个第二金属区域(103)由所述介电区域(104)电分离，其中，所述至少一个第二金属区域(103)沿所述第一主延伸方向(x)与所述第一金属区域(102)相距第一间距(105)，其特征在于，在所述第一金属区域(102)上布置第一焊料(107)，该第一焊料在未焊接状态下具有至少相当于所述第一间距(105)的三倍的第四层厚度，并且在所述第一焊料(107)上布置第三金属区域(108)，所述第三金属区域(108)沿所述第一主延伸方向(x)与所述半导体元器件(101)的边缘相距第三间距(109)，该第三间距相当于在未焊接状态下的所述第一焊料(107)的第四层厚度的至少五倍，其中，所述第一金属区域(102)、所述第二金属区域(103)、所述第三金属区域(108)和所述第一焊料(107)具有材料锁合连接。
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