[实用新型]抑制暗计数的单光子计数电路有效

专利信息
申请号: 201620045355.7 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN205333203U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 张钰;胡万鹏;卫振奇 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01J11/00 分类号: G01J11/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了抑制暗计数的单光子计数电路。目前常用降低光电器件温度实现减少暗计数,增加了系统功耗。本实用新型中第五MOS管和第一MOS管的栅极均接信号输入端;第一MOS管的漏极接第五MOS管的源极及第二MOS管的栅极;第五MOS管的漏极及电容的一端接电源电压,电容的另一端接第三MOS管的漏极,第三MOS管的源极接第二MOS管的漏极;第一MOS管和第二MOS管的源极均接地;第三MOS管的栅极接信号CLK;第四MOS管的漏极和源极分别接电容两端,第四MOS管的栅极接复位信号;第二MOS管的漏极经A/D转换器接处理器U;处理器的输出端连接计数器。本实用新型室温下就能减少暗计数。
搜索关键词: 抑制 暗计 光子 计数 电路
【主权项】:
抑制暗计数的单光子计数电路,包括第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、第三MOS管MN3、第四MOS管MN4、第五MOS管MP1、电容C1、A/D转换器、处理器和计数器,其特征在于:所述第五MOS管MP1和第一MOS管MN1的栅极均连接信号输入端IN,第五MOS管MP1的漏极连接电源电压VDD;所述第一MOS管MN1的漏极与第五MOS管MP1的源极及第二MOS管的栅极相连;第一MOS管MN1的源极接地,第一MOS管MN1和第五MOS管MP1构成CMOS反相器;所述电容C1的一端接电源电压VDD,另一端接第三MOS管MN3的漏极,第三MOS管MN3的源极接第二MOS管的漏极,第二MOS管MN2的源极接地;所述第三MOS管MN3的栅极接信号CLK;第四MOS管MN4的漏极和源极分别接在电容C2的两端,第四MOS管MN4的栅极接复位信号RESET;第二MOS管MN2的漏极作为输出端口OUT1,输出端口OUT1连接到A/D转换器;所述A/D转换器的输出端OUT2连接处理器U;所述处理器的输出端OUT3连接计数器Q。
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