[实用新型]低色偏耐绕曲阻隔膜有效
申请号: | 201620047247.3 | 申请日: | 2016-01-16 |
公开(公告)号: | CN205385058U | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 胡文玮 | 申请(专利权)人: | 汕头万顺包装材料股份有限公司;汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 |
主分类号: | H01M2/16 | 分类号: | H01M2/16 |
代理公司: | 广州市深研专利事务所 44229 | 代理人: | 张喜安 |
地址: | 515078 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种低色偏耐绕曲阻隔膜,包括基材层,依序层设在基材层顶面上的SiNx层、SiOy层与有机涂层,以及设置在基材层底面的背涂层,其中,SiNx层厚度在20nm至120nm之间,x取值1至4/3之间,SiOy层的厚度在3nm至40nm之间,y取值1.8至2之间。本实用新型所述的低色偏耐绕曲阻隔膜透过率高,低色偏,阻隔效果佳。 | ||
搜索关键词: | 低色偏耐绕曲 阻隔 | ||
【主权项】:
一种低色偏耐绕曲阻隔膜,包括基材层,其特征在于:低色偏耐绕曲阻隔膜包括依序层设在基材层顶面上的SiNx层、SiOy层与有机涂层,以及设置在基材层底面的背涂层,其中,SiNx层的厚度在3nm至40nm之间,x取值1至4/3之间,SiOy层厚度在20nm至120nm之间,y取值1.8至2之间。
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