[实用新型]一种双子蓝宝石衬底有效

专利信息
申请号: 201620048857.5 申请日: 2016-01-19
公开(公告)号: CN205376563U 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 陈铭欣;林木榕;林永腾 申请(专利权)人: 福建晶安光电有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362411 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开了一种双子蓝宝石衬底,包括聚合物层,所述聚合物层的上表面和下表面分别沉积有上蓝宝石衬底和下蓝宝石衬底,所述上蓝宝石衬底的顶部等距离规则排列有锥形凸块,且上蓝宝石衬底的平坦顶部生长有GaN结晶生长层,所述锥形凸块的锥形顶部和GaN结晶生长层之间形成锥形槽体,所述GaN结晶生长层的顶部经化学机械抛光设置有粗糙层,所述GaN结晶生长层的顶部开有矩阵刻槽,且矩阵刻槽包括横向刻槽和竖向刻槽,所述下蓝宝石衬底的上表面和下表面均通过感应耦合等离子体刻蚀工艺形成有微透镜,且聚合物层的内腔设置有与微透镜相配合的透镜槽,该双子蓝宝石衬底,具有很好的光提取率和很好的散热性能。
搜索关键词: 一种 双子 蓝宝石 衬底
【主权项】:
一种双子蓝宝石衬底,包括聚合物层(1),其特征在于:所述聚合物层(1)的上表面和下表面分别沉积有上蓝宝石衬底(2)和下蓝宝石衬底(8),所述上蓝宝石衬底(2)的顶部等距离规则排列有锥形凸块(3),且上蓝宝石衬底(2)的平坦顶部生长有GaN结晶生长层(4),所述锥形凸块(3)的锥形顶部和GaN结晶生长层(4)之间形成锥形槽体(5),所述GaN结晶生长层(4)的顶部经化学机械抛光设置有粗糙层(7),所述GaN结晶生长层(4)的顶部开有矩阵刻槽(6),且矩阵刻槽(6)包括横向刻槽(61)和竖向刻槽(62),所述下蓝宝石衬底(8)的上表面和下表面均通过感应耦合等离子体刻蚀工艺形成有微透镜(9),且聚合物层(1)的内腔设置有与微透镜(9)相配合的透镜槽。
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