[实用新型]基于三端半导体功率开关的RSD触发电路有效

专利信息
申请号: 201620058275.5 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN205320047U 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 彭亚斌;卢社阶;刘纪磊;雷涛 申请(专利权)人: 湖北科技学院
主分类号: H03K3/57 分类号: H03K3/57
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 437100 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种基于三端半导体功率开关的RSD触发电路,包括充电电路,放电主电路,RSD触发电路和控制电路;所述放电主电路串联RSD触发电路,所述充电电路并联于主电路、RSD触发电路两端;所述控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端;所述放电主电路包括依序串联的RSD开关、磁环L、主电容C0和负载Z0;所述RSD触发电路包括触发电容Cc,半导体开关K21、K22,磁开关Lc,磁开关L21、L22;所述触发电容Cc、半导体开关K22,RSD开关,磁开关Lc,半导体开关K21依序串联构成预充电流回路。本实用新型适用于低压电路,结构简化了一半,两只晶闸管的同步触发比较容易实现。
搜索关键词: 基于 半导体 功率 开关 rsd 触发 电路
【主权项】:
一种基于三端半导体功率开关的RSD触发电路,其特征在于:包括充电电路,放电主电路,RSD触发电路和控制电路;所述放电主电路串联RSD触发电路,所述充电电路并联于主电路、RSD触发电路两端;所述控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端;所述放电主电路包括依序串联的RSD开关、磁环L、主电容C0和负载Z0;所述RSD触发电路包括触发电容Cc,半导体开关K21、半导体开关K22,磁开关Lc,磁开关L21、磁开关L22;所述触发电容Cc、半导体开关K22,RSD开关,磁开关Lc,半导体开关K21依序串联构成预充电流回路;所述磁开关L21一端连接于半导体开关K21与磁开关LC的串联连接端、另一端连接于半导体开关K22与触发电容Cc的串联连接端;所述磁开关L22一端连接于RSD开关与半导体开关K22的串联连接端、另一端连接于触发电容Cc与半导体开关K21的串联连接端。
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