[实用新型]具有高接合强度的多层结构的转接介面板有效
申请号: | 201620080751.3 | 申请日: | 2016-01-27 |
公开(公告)号: | CN205376474U | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 李文聪;谢开杰;邓元玱 | 申请(专利权)人: | 中华精测科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型公开一种具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其适用于晶圆测试,并包括依序迭设而成的多个薄膜层结构。本实用新型的特点在于,任一该薄膜层结构具有至少一第一导电盲孔,任一该薄膜层结构的表面上设有一电性连接至少一该第一导电盲孔的互连层,且该互连层包含至少一导线线头,而另一该薄膜层结构具有至少一第二导电盲孔,且至少一该第二导电盲孔的底端导体同时接触相对应的至少一该导线线头及任一该薄膜层结构的部分表面。借此,可大幅提升层间结合力,进而增进热冲击的抵抗能力。 | ||
搜索关键词: | 具有 接合 强度 多层 结构 转接 介面 | ||
【主权项】:
一种具有高接合强度的多层结构的转接介面板,适用于晶圆测试,其特征在于,该具有高接合强度的多层结构的转接介面板包括:一核心基板,其表面上设有一线路层,该线路层具有至少一导线线头;以及一薄膜层结构,其迭设于该核心基板的表面上并覆盖该线路层,该薄膜层结构具有至少一导电盲孔,且至少一该导电盲孔的底端导体同时接触至少一该导线线头及该核心基板的部分表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造