[实用新型]一种银面高压平面式MOS肖特基二极管有效
| 申请号： | 201620108815.6 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN205542759U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 黄仲濬;蒋文甄 | 申请（专利权）人： | 泰州优宾晶圆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州市姜*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。解决了传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 平面 mos 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，包括主芯片、导线、第一滑槽、第二滑槽、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。
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