[实用新型]半导体测试结构有效
| 申请号： | 201620224134.6 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN205452278U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 周华阳;宋永梁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体测试结构，包括：第一测试结构、第二测试结构、第一测试焊垫、第二测试焊垫、第三测试焊垫及保险丝。本实用新型通过将适于同时测试栅间氧化层的完整性及连接通孔与多晶硅栅极之间的层间介质层的完整性的第一测试结构与适于测试栅间氧化层的完整性的第二测试结构设计在一起，不需要使用失效分析即可以同时对测试栅间氧化层的完整性及连接通孔与多晶硅栅极之间的层间介质层的完整性进行测试，可以精确地找出失效点是位于栅间氧化层还是位于连接通孔与多晶硅栅极之间的层间介质层中，节省了测试时间和测试成本，提高了测试的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：第一测试结构、第二测试结构、第一测试焊垫、第二测试焊垫、第三测试焊垫及保险丝；所述第一测试结构一端与所述第一测试焊垫相连接，另一端与所述第三测试焊垫相连接，适于测试栅间氧化层的完整性及连接通孔与多晶硅栅极之间的层间介质层的完整性；所述第二测试结构一端与所述第二测试焊垫相连接，另一端与所述第三测试焊垫相连接，适于测试栅间氧化层的完整性；所述保险丝一端与所述第一测试结构及所述第一测试焊垫相连接，另一端与所述第二测试结构及所述第二测试焊垫相连接。
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