[实用新型]使用G-D同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构

摘要

本实用新型涉MOSFET的多芯片封装结构，尤其是使用G‑D同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构，包括第一芯片、第二芯片、第三芯片和包封体，其特征在于：所述第一芯片的背面焊接在包封体的底部，所述第二芯片正面朝上设于第一芯片上，所述第三芯片位于第一芯片和第二芯片侧面，所述第三芯片的背面焊接在包封体的底部，所述第一芯片和第二芯片均为MOSFET器件，所述第三芯片为快速恢复二极管。所述的这种MOSFET多芯片封装结构能够有效阻断反向寄生二极管开启，使器件续流电流流经第三芯片，在半桥、全桥电路中，可大大降低器件反向恢复产生的损耗，提升整个电路的可靠性。

主权项

一种使用G‑D同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构，包括第一芯片（1）、第二芯片（2）、第三芯片（3）和包封体（4），其特征在于：所述第一芯片（1）的背面焊接在包封体（4）的底部，所述第二芯片（2）正面朝上设于第一芯片（1）上，所述第三芯片（3）位于第一芯片（1）和第二芯片（2）侧面，所述第三芯片（3）的背面焊接在包封体（4）的底部；所述第一芯片（1）和第二芯片（2）均为MOSFET器件，所述第一芯片（1）的正面设有第一栅极（1.1）、第一源极（1.3）和G极（1.4），背面设有第一漏极（1.2），所述第二芯片（2）的正面设有第二栅极（2.1）和第二漏极（2.2），背面设有第二源极（2.3）；所述第三芯片（3）为快速恢复二极管，所述快速恢复二极管的正面和背面分别设有正极（3.1）和负极（3.2）；所述第一栅极（1.1）和G极（1.4）是相互导通的，所述第一栅极（1.1）和第二栅极（2.1）通过打线连接，所述第一源极（1.3）和第二源极（2.3）焊接；所述包封体（4）的引出端为栅极（5）、漏极（6）和源极（7），所述栅极（5）与G极（1.4）通过打线连接，所述漏极（6）与包封体（4）的底部焊接，所述源极（7）与第二漏极（2.2）、正极（3.1）均通过打线连接。