[实用新型]一种采用研磨棒制作的化合物半导体外延结构有效
| 申请号： | 201620294355.0 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN205660524U | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 唐冬林;李春江 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/11 | 分类号： | B24B37/11;H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种采用研磨棒制作的化合物半导体外延结构，该化合物半导体结构，包括：衬底，衬底表面形成由研磨棒沿不同方向研磨形成的微凹凸图形结构；化合物半导体薄膜层，化合物半导体薄膜层横向生长在衬底表面的微凹凸图形结构上；GaN薄膜层，GaN薄膜层生长在化合物半导体薄膜层表面，进而使得横向生长在该微凹凸结构上的薄膜阻止底下缺陷向上传递，提高了半导体器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 研磨 制作 化合物 半导体 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种采用研磨棒制作的化合物半导体外延结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面形成由研磨棒沿不同方向研磨形成的微凹凸图形结构；化合物半导体薄膜层，所述化合物半导体薄膜层横向生长在所述衬底表面的微凹凸图形结构上；GaN薄膜层，所述GaN薄膜层生长在所述化合物半导体薄膜层表面。
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