[实用新型]用于半导体处理腔室的双通道喷头有效

专利信息
申请号: 201620346066.0 申请日: 2016-04-22
公开(公告)号: CN205900504U 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: K·阿拉亚瓦里;韩新海;P·P·贾;M·绪方;Z·蒋;A·柯;N·O·木库提;T·布里彻;A·K·班塞尔;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦内兹;金柏涵 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J49/16 分类号: H01J49/16;C23C24/08;H01L21/67
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 黄嵩泉
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中,该喷头包括主体,该主体包括导电材料,该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口,该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料,该多个第一开口包括第一气体通道,该多个第二开口包括第二气体通道,该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离,其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
搜索关键词: 用于 半导体 处理 双通道 喷头
【主权项】:
一种用于半导体处理腔室的双通道喷头,所述喷头包括:主体,所述主体包括导电材料,所述导电材料具有多个第一开口和多个第二开口,所述多个第一开口和多个第二开口形成为穿过所述导电材料,所述第一开口中的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状。
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