[实用新型]一种N型氮化镓基发光二极管

摘要

本实用新型揭示了一种N型氮化镓基发光二极管，包括外延层结构，外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层、铝掺杂氮化镓层、镁掺杂的p型氮化镓层以及透明导电层，透明导电层上设置有p型电极，硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层上设置有n型电极。本实用新型通过在硅掺杂的n型氮化镓层和铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层之间增加硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层，并控制电子扩散层的组分、厚度，使载流子在LED结构中进行横向扩展，增加电子‑空穴对的复合概率，提高N型氮化镓基发光二极管的发光效率。

主权项

一种N型氮化镓基发光二极管，包括外延层结构，其特征在于：所述外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底（1）、氮化镓缓冲层（2）、非掺杂氮化镓层（3）、硅掺杂的n 型氮化镓层（4）、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层（5）、铟镓氮‑ 氮化镓多量子阱有源发光层（6）、铝掺杂氮化镓层（7）、镁掺杂的p 型氮化镓层（8）以及透明导电层（9），所述透明导电层（9）上设置有p 型电极（10），所述硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层（5）上还设置有n 型电极（11）；所述氮化镓缓冲层（2）的厚度﹤所述硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层（5）的厚度﹤硅掺杂的n 型氮化镓层（4）的厚度。