[实用新型]一种硅通孔结构有效
| 申请号： | 201620717172.5 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN206210778U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李春泉;谢星华;黄红艳;尚玉玲;张明;周远畅;谢小天 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅通孔结构所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；所述通孔由分别从基底的正面和背面相向刻蚀的第一盲孔和第二盲孔贯通形成。所述通孔的数量为至少2个。这种硅通孔结构能够使芯片三维叠层封装更加简单可靠。本实用新型同时还公开了这种硅通孔结构的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；所述通孔由分别从基底的正面和背面相向刻蚀的第一盲孔和第二盲孔贯通形成；所述通孔的数量为至少2个。
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