[实用新型]半导体组件及屏蔽栅极半导体组件有效
| 申请号： | 201620788144.2 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN206210805U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘凤香 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了半导体组件及屏蔽栅极半导体组件。一种被配置成操作在雪崩中的屏蔽栅极半导体组件包括具有第一导电性类型并且具有第一和第二主表面的半导体材料；从第一导电性类型的半导体材料形成的多个台面结构，所述多个台面结构当中的第一台面结构具有第一宽度并且所述多个台面结构当中的第二台面结构具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度；从所述多个台面结构当中的第一台面结构和第一沟槽的一部分形成的屏蔽栅极半导体器件，其中所述屏蔽栅极半导体器件包括处于第一台面结构与第二台面结构之间的第一屏蔽栅极结构；所述多个台面结构当中的第二台面结构中的第一箝位结构；以及邻近第二台面结构的第一屏蔽结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 屏蔽 栅极 | ||
【主权项】：
一种屏蔽栅极半导体组件，其特征在于，所述屏蔽栅极半导体组件被配置成操作在雪崩中，所述屏蔽栅极半导体组件包括：具有第一导电性类型并且具有第一(52)和第二(54)主表面的半导体材料(50)；从第一导电性类型的半导体材料(50)形成的多个台面结构(71，73，75)，所述多个台面结构当中的第一台面结构(73)具有第一宽度并且所述多个台面结构当中的第二台面结构(75)具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度；从所述多个台面结构当中的第一台面结构(73)和第一沟槽(74)的一部分形成的屏蔽栅极半导体器件(260)，其中所述屏蔽栅极半导体器件(260)包括处于第一台面结构(73)与第二台面结构(75)之间的第一屏蔽栅极结构(94，112C)；所述多个台面结构当中的第二台面结构(75)中的第一箝位结构(210，210A)；以及邻近第二台面结构(75)的第一屏蔽结构(112H)。
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