[实用新型]一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构有效
申请号: | 201620803802.0 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN206259361U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 霍元杰;王飞 | 申请(专利权)人: | 浙江长兴汉能薄膜太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/076 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙)33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 313100 浙江省湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构,包括玻璃衬底、设于所述玻璃衬底上的TCO膜层和设于所述TCO膜层上的Si基光电转换层,还包括设于所述Si基光电转换层上ITO层、设于所述ITO层上的Ag金属层和设于所述Ag金属层上的AZO层。本实用新型结构简单、使用方便,既保证了较好的导电性,又具有较优良的透光性,对光能的利用率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构,包括玻璃衬底(1)、设于所述玻璃衬底(1)上的TCO膜层(2)和设于所述TCO膜层(2)上的Si基光电转换层(3),其特征在于:还包括设于所述Si基光电转换层(3)上ITO层(4)、设于所述ITO层(4)上的Ag金属层(5)和设于所述Ag金属层(5)上的AZO层(6);所述Si基光电转换层(3)包括依次设置的第一P‑I‑N层(31)、第二P‑I‑N层(32)和第三P‑I‑N层(33),所述第一P‑I‑N层(31)与所述TCO膜层(2)相连接,所述第三P‑I‑N层(33)与所述ITO层(4)相连接;所述ITO层(4)和所述AZO层(6)之间还设有与所述Ag金属层(5)连接的Al金属层(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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