[实用新型]薄膜电池刻线宽度的测量系统有效
| 申请号： | 201620916162.4 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN206271665U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 孙绍臻;戚运东;马海庆 | 申请（专利权）人： | 山东新华联新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 韩建伟,张永明 |
| 地址： | 252000 山东省聊城*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜电池刻线宽度的测量系统。其中，该测量系统包括机台、拍照装置和数据处理装置，其中，机台，用于传输待检测薄膜电池的芯片至机台的待检测位置；拍照装置，位于机台的待检测位置的上方，用于采集芯片的刻线图像；数据处理装置，与拍照装置连接，用于获取刻线图像，并依据刻线图像计算芯片的刻线宽度。本实用新型解决了由于缺少合适的CCD相机，导致无法解决测量非晶硅薄膜太阳能电池的芯片各膜层刻线宽度的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 宽度 测量 系统 | ||
【主权项】：
一种薄膜电池刻线宽度的测量系统，其特征在于，包括：机台、拍照装置和数据处理装置，其中，所述机台，用于传输待检测薄膜电池的芯片至所述机台的待检测位置；所述拍照装置，位于所述机台的所述待检测位置的上方，用于采集所述芯片的刻线图像；所述数据处理装置，与所述拍照装置连接，用于获取所述刻线图像，并依据所述刻线图像计算所述芯片的刻线宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
