[实用新型]斜抛光纤低压传感器

摘要

本实用新型公开了一种斜抛光纤低压传感器，通过传统的MEMS微细加工与光纤斜抛技术相结合形成一个新型结构，利用V型槽阵列固定端面镀膜的45度斜抛光纤，另一面与硅敏感膜基底键合，光纤45度端面与硅基底的敏感膜形成法布里‑珀罗腔。同时还公开了制作该传感器的方法，主要步骤为通过湿法腐蚀法在硅晶圆上制作V型光纤槽阵列和一定厚度的硅敏感膜阵列，利用硅‑硅键合技术将硅敏感膜基底和V型光纤槽键合，随后固定单模光纤将其压紧，最后划片并封装。本实用新型结构新颖，灵敏度高，可靠性好，线性测量范围大，成本低廉，可批量生产，应用于工业中的压力检测。

主权项

一种斜抛光纤低压传感器，其特征在于，包括V型光纤槽、硅敏感膜以及斜抛光纤，该斜抛光纤的端面具有倾斜的光纤反射面；V型光纤槽的背部通过硅‑硅键合的方式和硅敏感膜的基底连接成一体；斜抛光纤搭接在V型光纤槽的两倾斜槽壁上，且斜抛光纤与V型光纤槽的两槽壁形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定；光纤反射面背向V型光纤槽设置；所述斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜形成法布里‑珀罗腔。