[实用新型]用于离子植入机中的静电透镜的抑制电极有效
| 申请号： | 201621046979.7 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN206040593U | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | W·戴维斯·李 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨贝贝,臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于离子植入机中的静电透镜的抑制电极。抑制电极具有第一和第二表面及抑制电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束，第一和第二表面中的至少一个在y‑z平面中是弯曲的；抑制电极开口具有顶端、底端和中心部分，且抑制电极开口在顶端和底端处的宽度大于在中心部分处的宽度，并且抑制电极开口在顶端处的宽度等于抑制电极开口在底端处的宽度，其中抑制电极的第一表面具有第一曲率半径，并且抑制电极的第二表面具有第二曲率半径，第一和第二曲率半径是从沿着负z轴的点测量的，负z轴从抑制电极的中心在离子束行进的相反方向上测量的，第一曲率半径小于第二曲率半径。静电透镜通过调节端电极可获得多种不同射束形状。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 植入 中的 静电透镜 抑制 电极 | ||
【主权项】：
一种用于离子植入机中的静电透镜的抑制电极，其特征在于，包括：抑制电极，具有第一表面和第二表面以及抑制电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个在y‑z平面中是弯曲的；其中所述抑制电极开口具有顶端、底端和中心部分，并且所述抑制电极开口在所述顶端和所述底端处的宽度大于所述抑制电极开口在所述中心部分处的宽度，并且所述抑制电极开口在所述顶端处的所述宽度等于所述抑制电极开口在所述底端处的所述宽度，其中所述抑制电极的所述第一表面具有第一曲率半径，并且所述抑制电极的所述第二表面具有第二曲率半径，并且其中所述第一曲率半径和所述第二曲率半径是从沿着负z轴的点测量的，其中所述负z轴是从所述抑制电极的中心在所述离子束行进的相反方向上测量的，并且其中所述第一曲率半径小于所述第二曲率半径。
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