[实用新型]一种提高等离子刻蚀终点控制灵敏度的二次电离装置有效
| 申请号： | 201621048086.6 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN206076198U | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 睢智峰 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/10 | 分类号： | H01J49/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区郭*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型专利一种提高等离子刻蚀终点控制灵敏度的二次电离装置，它由真空腔体、射频线圈和射频电源组成。晶圆放置在刻蚀反应腔中，晶圆上方是刻蚀反应腔等离子体，刻蚀过程中生产气体由刻蚀反应腔下方真空泵抽至排气管中。所述的真空腔体通过真空密封橡胶圈和锁扣固定在排气管上，另一端是透光窗口，透光窗口采用透紫外光的蓝宝石材料，终点控制器光纤对准透光窗口，用于收集二次电离光谱；所述的射频线圈4缠绕在真空腔体上，射频线圈两端与射频电源相连，可将晶圆刻蚀生成气体二次电离，产生二次电离等离子体。此时，终点控制器可通过二次电离的原子谱，选择可用的谱线进行终点探测，准确判断晶圆刻蚀终点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 等离子 刻蚀 终点 控制 灵敏度 二次 电离 装置 | ||
【主权项】：
一种提高等离子刻蚀终点控制灵敏度的二次电离装置，它由真空腔体、射频线圈和射频电源组成，射频线圈缠绕在真空腔体上，并与射频电源相连。
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