[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201621053980.2 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN206259355U | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 川尻智司 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于英慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供半导体装置，使栅电极的导电性稳定。沟槽栅型的半导体装置具有漂移区(10)；基区(20)，其配置在漂移区(10)上；发射区(30)，其配置在基区(20)上；内壁绝缘膜(40)，其配置在槽的内壁，该槽从发射区(30)的上表面延伸并贯通发射区(30)和基区(20)；栅电极(50)，其与基区(20)的侧面对置地配置在槽的侧面的内壁绝缘膜(40)上；以及栅电极(50)上的层间绝缘膜(70)，栅电极(50)由多晶硅膜构成，层间绝缘膜(70)具有第1层间绝缘膜(71)，其材质在与栅电极(50)接触时使栅电极(50)的导电性变化；以及第2层间绝缘膜(72)，其配置在栅电极(50)与第1层间绝缘膜(71)之间，使得栅电极(50)的导电性不变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，其配置在所述第1半导体区域上；第1导电型的第3半导体区域，其配置在所述第2半导体区域上；内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从所述第3半导体区域的上表面延伸并贯通所述第3半导体区域和所述第2半导体区域；控制电极，其与所述第2半导体区域的侧面对置地配置在所述槽的侧面的所述内壁绝缘膜上；以及所述控制电极上的层间绝缘膜，所述控制电极由多晶硅膜构成，所述层间绝缘膜具有：第1层间绝缘膜，该第1层间绝缘膜的材质在与所述控制电极接触时使所述控制电极的导电性变化；以及第2层间绝缘膜，其配置在所述控制电极与所述第1层间绝缘膜之间，使得所述控制电极的导电性不变。
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