[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201621056793.X | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN206412356U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种电子器件，所述电子器件可包括衬底以及被所述衬底横向地包围的绝缘结构。一方面，所述电子器件可包括被所述绝缘结构和所述衬底横向地包围的第一导电结构或有源区域。另一方面，所述电子器件可包括被所述绝缘结构包围的电感器。根据本公开的实施例，可以提供电子器件的进一步改进、设计的灵活性和/或高的设备生产量。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，其特征在于，包括：衬底；被所述衬底横向地包围的绝缘结构；以及被所述绝缘结构和所述衬底横向地包围的第一导电结构或有源区域，其中所述第一导电结构或有源区域与所述衬底在横向上间隔开至少4微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621056793.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SMAFL型半导体引线框架
- 下一篇：SOD型半导体引线框架
