[实用新型]一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器有效
| 申请号： | 201621060663.3 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN206526054U | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 史再峰;孟庆振;高阳;谢向桅;王晶波 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | A61B6/00 | 分类号： | A61B6/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，本征半导体敏感区的一侧表面通过重掺杂形成P型区，另一侧表面通过重掺杂形成N型区，P型区远离本征半导体敏感区一侧的表面上设置有背面电极，本征半导体敏感区和N型区部分采用浅沟槽隔离结构被隔离为具有2个以上的像素单元的结构，每一个像素单元的N型区远离本征半导体敏感区一侧的表面上由上至下设置有长度依次递增的第一正面电极、第二正面电极和第三正面电极，每一个像素单元的正面电极分别各依次通过一个整形滤波器和一个电荷积分器共同连接本像素单元中的集成电路处理器，每一个像素单元的上端表面构成X射线的入射面。本实用新型降低了扫描时间和射线剂量，提高了时间和空间的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 能量 积分 射线 探测器 | ||
【主权项】：
一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，包括无掺杂的本征半导体敏感区(105)，所述本征半导体敏感区(105)的一侧表面通过重掺杂形成P型区(106)，所述本征半导体敏感区(105)的另一侧表面通过重掺杂形成N型区(107)，所述P型区(106)远离本征半导体敏感区(105)一侧的表面上设置有背面电极(108)，其特征在于，所述本征半导体敏感区(105)和N型区(107)部分采用浅沟槽隔离结构被隔离为沿X射线能谱探测器宽度方向具有2个以上的像素单元的结构，每一个所述的像素单元的N型区(107)远离本征半导体敏感区(105)一侧的表面上由上至下设置有长度依次递增的第一正面电极(101)、第二正面电极(102)和第三正面电极(103)，所述每一个像素单元的第一正面电极(101)、第二正面电极(102)和第三正面电极(103)分别各依次通过一个整形滤波器(109)和一个电荷积分器(110)共同连接本像素单元中的集成电路处理器(111)，每一个所述的像素单元的上端表面构成X射线(104)的入射面。
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