[实用新型]一种充电指示电路有效

专利信息
申请号: 201621064508.9 申请日: 2016-09-20
公开(公告)号: CN206211565U 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 黄子恺;李高 申请(专利权)人: 硕诺科技(深圳)有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 深圳市康弘知识产权代理有限公司44247 代理人: 胡朝阳,尹彦
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种充电指示电路,包括发光二极管,与发光二极管连接的CPU,与发光二极管连接的充电芯片、连接在充电芯片和CPU之间的导通切换电路,导通切换电路可切换发光二极管与CPU或充电芯片接通。本实用新型电路结构简单,且能保证电池不论在低电压或高电压充电时,指示灯均能保持正常指示状态。
搜索关键词: 一种 充电 指示 电路
【主权项】:
一种充电指示电路,包括:发光二极管和与所述发光二极管连接的CPU,所述发光二极管的阳极连接至电池的正极、阴极连接至所述CPU的控制端口,其特征在于,还包括:与所述发光二极管连接的充电芯片、连接在所述充电芯片和所述CPU之间的导通切换电路,所述充电芯片的电压输入脚连接至充电插口,所述导通切换电路包括:第一N沟道增强型MOS管、第二N沟道增强型MOS管、第一电阻和第二电阻;所述第一N沟道增强型MOS管的漏极连接至所述发光二极管的阴极,所述第一N沟道增强型MOS管的源极连接至所述充电芯片的控制脚,所述第一N沟道增强型MOS管的栅极串联所述第一电阻连接至电池的正极;所述第二N沟道增强型MOS管的漏极连接至所述第一N沟道增强型MOS管的栅极,所述第二N沟道增强型MOS管的源极接地,所述第二N沟道增强型MOS管的栅极连接至所述CPU的通用I/O端口,所述第二电阻的一端接地、另一端连接至所述第二N沟道增强型MOS管的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硕诺科技(深圳)有限公司,未经硕诺科技(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621064508.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top