[实用新型]GaN基肖特基二极管结构有效
| 申请号： | 201621115450.6 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN206332034U | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 周祥瑞;冷德武;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷红梅,刘海 |
| 地址： | 225063 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种GaN基肖特基二极管结构，特征是包括衬底、位于衬底上的GaN层、位于GaN层上的AlGaN层、阴极金属和阳极金属，阴极金属同时与GaN层和AlGaN层欧姆接触，阳极金属设置于AlGaN层上表面，阳极金属与AlGaN层肖特基接触。在所述衬底和GaN层之间设有缓冲层。本实用新型所述GaN基肖特基二极管结构，在衬底基板第一主面设有AlGaN层，在AlGaN层和衬底基板之间设有GaN层；在本体左侧设有欧姆接触电极（Cathode），欧姆接触电极同时与AlGaN和GaN层形成欧姆接触；在本体右侧设有肖特基接触电极（Anode）。如果在肖特基接触电极（Anode）增加一定的电压，在AlGaN层和GaN层的接触表面会形成电子通道。 | ||
| 搜索关键词： | gan 基肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基肖特基二极管结构，其特征是：包括衬底（1）、位于衬底（1）上的GaN层（2）、位于GaN层（2）上的AlGaN层（3）、阴极金属（4）和阳极金属（5），阴极金属（4）同时与GaN层（2）和AlGaN层（3）欧姆接触，阳极金属（5）设置于AlGaN层（3）上表面，阳极金属（5）与AlGaN层（3）肖特基接触。
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