[实用新型]一种带有外延调制区的半导体装置有效
| 申请号： | 201621116798.7 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN206322701U | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;杨婵;刘建;陈兴;杨伟;欧宏旗;钟怡 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型外延调制区和场介质层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第一导电类型外延调制区浮空于轻掺杂第一导电类型外延层之中。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 外延 调制 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层(10)、轻掺杂第一导电类型外延层(20)、第二导电类型保护环区(21)、第一导电类型外延调制区(22)和场介质层(30)；所述轻掺杂第一导电类型外延层(20)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(10)之上；所述第二导电类型保护环区(21)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；所述第一导电类型外延调制区(22)浮空于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之中；所述场介质层(30)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆中科渝芯电子有限公司，未经重庆中科渝芯电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621116798.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示基板、显示装置
- 下一篇：一种带有衬底埋层的半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
